我區(qū)一半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)現(xiàn)氧化鎵單晶技術(shù)突破

日前，位于蕭山區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)的杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱鎵仁半導(dǎo)體）在氧化鎵晶體生長方面實(shí)現(xiàn)新的技術(shù)突破，基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備（非銥坩堝），采用垂直布里奇曼法（VB）成功生長出2英寸氧化鎵單晶，在國內(nèi)尚屬首次。

國際領(lǐng)先的氧化鎵襯底制造商正在迅速采用VB法這一創(chuàng)新技術(shù)。該技術(shù)不使用貴金屬銥坩堝，無需考慮坩堝的氧化損耗，與常見使用銥坩堝的生長方法相比，成本最高可降低至1/50，且可采用空氣氣氛生長單晶，能夠有效抑制氧化鎵的高溫分解，減少因坩堝腐蝕晶體中的夾雜物等缺陷，提升晶體質(zhì)量。

自2022年9月成立以來，鎵仁半導(dǎo)體便以科技實(shí)力在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域嶄露頭角。作為一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的高新技術(shù)企業(yè)，鎵仁半導(dǎo)體專注于氧化鎵襯底、外延、設(shè)備的發(fā)展，致力于推動半導(dǎo)體技術(shù)的革新。

此次重大突破，不僅成功打破了西方國家在氧化鎵設(shè)備、材料領(lǐng)域的技術(shù)封鎖，并且為相關(guān)產(chǎn)業(yè)需求提供了有力支撐。接下來，鎵仁半導(dǎo)體將不斷致力于在氧化鎵產(chǎn)業(yè)鏈中持續(xù)創(chuàng)新，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品保障。