第一屆氧化鎵技術與產(chǎn)業(yè)研討會在蕭舉行

日前，由浙大杭州國際科創(chuàng)中心（簡稱科創(chuàng)中心）聯(lián)合杭州光學精密機械研究所、西安電子科技大學等單位等共同舉辦的第一屆氧化鎵技術與產(chǎn)業(yè)研討會在蕭山舉行。

作為目前國內(nèi)唯一聚焦于氧化鎵技術與產(chǎn)業(yè)的會議，研討會旨在進一步促進我國氧化鎵領域基礎科學研究、推進產(chǎn)學研深度融合、助力氧化鎵產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展。本次研討會共吸引了海內(nèi)外78家高校、32家研究院所、290家企業(yè)和37家參展單位參加，線上參與人數(shù)超萬人。

中國科學院院士、科創(chuàng)中心首席科學家楊德仁表示，氧化鎵材料作為新一代超寬禁帶半導體，已在功率器件、射頻器件以及光電探測器等領域展現(xiàn)了無可替代的綜合實力，其產(chǎn)業(yè)化進程也有待進一步加速，“我們希望借此次大會的契機，為氧化鎵材料、器件的技術發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化構建更加廣泛的合作空間和更加科學、嚴謹?shù)慕涣骰悠脚_?！?/p>

值得一提的是，前不久，科創(chuàng)中心聯(lián)合杭州鎵仁半導體有限公司，成功制備出了3英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底，為目前國際上已報道的最大尺寸。

本次研討會共設氧化鎵產(chǎn)業(yè)、氧化鎵材料、氧化鎵器件三個分會場，來自肯尼索州立大學、阿卜杜拉國王科技大學、德國萊布尼茲晶體生長研究所、日本NCT公司、亞洲氧化鎵聯(lián)盟、杭州富加鎵業(yè)、杭州鎵仁半導體等國內(nèi)外高校、科研院所、產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟和企業(yè)的專家學者聚焦氧化鎵晶體生長與加工、薄膜及外延技術、功率及光電器件性能以及產(chǎn)業(yè)發(fā)展等主題開展報告，交流氧化鎵材料及相關器件的最新進展。

不少專家表示，我國氧化鎵產(chǎn)業(yè)面臨著大尺寸單晶制備難度高、材料可靠性低、穩(wěn)定性弱、生產(chǎn)成本高等諸多挑戰(zhàn)和技術難點，呼吁氧化鎵領域內(nèi)的同仁們能夠加強交流合作、攜手并進，共同推動氧化鎵技術與產(chǎn)業(yè)發(fā)展，為我國的科技進步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻力量。