蕭企成功制備3英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底

今年7月，蕭經(jīng)開(kāi)杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司在氧化鎵晶體生長(zhǎng)與襯底加工技術(shù)上取得突破性進(jìn)展，成功制備出3英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底，為目前國(guó)際上已報(bào)道的最大尺寸，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

在氧化鎵單晶襯底常見(jiàn)的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。（010）襯底熱導(dǎo)率最高，有利于提升功率器件性能，且具有較快的外延生長(zhǎng)速率。同時(shí)，基于（010）襯底制備的器件具有更優(yōu)異的性能。目前，鎵仁半導(dǎo)體推出晶圓級(jí)（010）氧化鎵單晶襯底產(chǎn)品，該產(chǎn)品面向科研市場(chǎng)，滿足科研領(lǐng)域?qū)Γ?10）襯底的需求，促進(jìn)業(yè)內(nèi)產(chǎn)學(xué)研協(xié)同合作。

杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司主要從事氧化鎵等半導(dǎo)體單晶材料的研發(fā)與生產(chǎn)，開(kāi)創(chuàng)了氧化鎵單晶生長(zhǎng)新技術(shù)，已獲批國(guó)家級(jí)科技型中小企業(yè)、浙江省創(chuàng)新型中小企業(yè)等稱號(hào)，并牽頭獲批浙江省科技廳“領(lǐng)雁”計(jì)劃等多個(gè)項(xiàng)目，致力于氧化鎵上游產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)創(chuàng)新，具有雄厚的生產(chǎn)研發(fā)實(shí)力。

此前，鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，采用楊德仁院士團(tuán)隊(duì)自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵（β-Ga2O3）單晶襯底。2024年4月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司推出了新產(chǎn)品2英寸晶圓級(jí)（010）氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實(shí)現(xiàn)了2英寸（010）氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn)，打破了國(guó)際壟斷。